砷化镓的二次离子质谱定量分析方法

砷化镓的二次离子质谱定量分析方法

陈宇, 余镇江, 范垂祯

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陈宇, 余镇江, 范垂祯. 砷化镓的二次离子质谱定量分析方法[J]. 真空与低温, 1989, (3): 38-41,16.

引用本文:

陈宇, 余镇江, 范垂祯. 砷化镓的二次离子质谱定量分析方法[J]. 真空与低温, 1989, (3): 38-41,16.

砷化镓的二次离子质谱定量分析方法

兰州物理研究所

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出版历程
- 收稿日期: 1989-04-07

摘要: 化合物半导体由于其复杂的基体效应,给表面定量分析带来了很大困难。如何提高分析精度,对痕量元素作出定量分析,是定量分析的一个难点。近年来,随着半导体集成电路工业的发展和表面分析技术的进一步提高,出现了一些适用于砷化镓及其它半导体材料二次离子质谱定量分析的新方法。这里简要介绍了它们的特点、分析计算步骤和分析精度。根据不同情况,有选择地运用这些方法,可对砷化镓材料的背景杂质浓度及掺杂元素分布进行定量分析,可获得较好的精度,从而实现对材料制备和器件制作等工艺过程的监控。
- 砷化镓 ;
- 二次离子质谱 ;
- 微量分析

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