分析了共价键半导体的低温热容。得到丁热容随温度变化的关系式并与实验结果作了比较。指出共价键半导体低温热容与其带隙宽度及掺杂程度有很大的关系。零带隙半导体低温热容随温度趋于热力学温度零度依 T^1.5而趋于零。